- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,953
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., | MDmesh™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 60W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 3A (Tc) | 2.1 Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 5.3nC @ 10V | 173pF @ 100V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,817
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 3.3A 8DFN | SDMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSMD, Flat Leads | 8-DFN (3x3) | 3.1W (Ta), 16.7W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 3.3A (Ta), 8A (Tc) | 145 mOhm @ 3A, 10V | 3.3V @ 250µA | 5.3nC @ 10V | 285pF @ 30V | 7V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,779
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 (TO-236AB) | 2W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 2.3A (Tc) | 150 mOhm @ 2.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 5.3nC @ 10V | 205pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V |