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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
8 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFS7537TRLPBF
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$2.68
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2,293
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Infineon Technologies MOSFET N CH 60V 173A D2PAK HEXFET®, StrongIRFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 230W (Tc) N-Channel - 60V 173A (Tc) 3.3 mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 150µA 210nC @ 10V 7020pF @ 25V 6V, 10V ±20V
IPB180N04S302ATMA1
单位
$3.26
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RFQ
2,254
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 OptiMOS™ Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) PG-TO263-7-3 300W (Tc) N-Channel - 40V 180A (Tc) 1.5 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 230µA 210nC @ 10V 14300pF @ 25V 10V ±20V
IPB120N04S3-02
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RFQ
1,652
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 300W (Tc) N-Channel - 40V 120A (Tc) 2 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 230µA 210nC @ 10V 14300pF @ 25V 10V ±20V
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$6.55
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RFQ
655
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) PG-TO263-7 375W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 1.7 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 279µA 210nC @ 10V 15600pF @ 50V 6V, 10V ±20V
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RFQ
3,914
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 40V TO252 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 71W (Tc) P-Channel - 40V 50A (Tc) 8.5 mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 210nC @ 10V 9950pF @ 25V 10V ±20V
STB200NF04T4
单位
$3.91
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RFQ
1,378
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK STripFET™ II Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 310W (Tc) N-Channel - 40V 120A (Tc) 3.7 mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 210nC @ 10V 5100pF @ 25V 10V ±20V
IPB020N10N5ATMA1
单位
$6.06
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RFQ
1,597
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 375W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 2 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 270µA 210nC @ 10V 15600pF @ 50V 6V, 10V ±20V
FDB047N10
单位
$4.46
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RFQ
1,762
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK 375W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 4.7 mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 210nC @ 10V 15265pF @ 25V 10V ±20V
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