- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,200
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 35W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 12A (Ta), 40A (Tc) | 9.7 mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 14µA | 24nC @ 10V | 1900pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
1,437
有现货
|
Infineon Technologies | N-CHANNEL_55/60V | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-11 | 47W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 64 mOhm @ 13A, 10V | 2V @ 14µA | 13nC @ 10V | 354pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
1,018
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 35W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 13A (Ta), 49A (Tc) | 9.3 mOhm @ 40A, 10V | 2V @ 14µA | 24nC @ 10V | 1900pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V |