- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,085
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 3.12W (Ta), 166W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 36A (Tc) | 53 mOhm @ 20A, 15V | 4.5V @ 250µA | 127nC @ 15V | 3100pF @ 25V | 10V, 15V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,910
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 3.12W (Ta), 156W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 33A (Tc) | 59 mOhm @ 20A, 15V | 4.5V @ 250µA | 113nC @ 15V | 2735pF @ 25V | 10V, 15V | ±25V |