- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,771
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 80A DPAK | STripFET™ F6 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 167W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 80A (Tc) | 6.5 mOhm @ 40A, 10V | 4.5V @ 250µA | 150nC @ 10V | 9130pF @ 40V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,686
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 3.75W (Ta), 300W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 90A (Tc) | 8.2 mOhm @ 20A, 10V | 4.5V @ 250µA | 150nC @ 10V | 6290pF @ 50V | 10V | ±20V |