- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
2,331
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 30A (Tc) | 17 mOhm @ 10A, 10V | 4.5V @ 250µA | 45nC @ 10V | 1825pF @ 40V | 8V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
1,231
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 75W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 30A (Tc) | 35 mOhm @ 4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 14nC @ 10V | 920pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
2,988
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 30A (Tc) | 17 mOhm @ 10A, 10V | 4.5V @ 250µA | 45nC @ 10V | 1825pF @ 40V | 8V, 10V | ±20V |