- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,810
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 70W (Tc) | N-Channel | 650V | 4A (Tc) | 3.37 Ohm @ 2A, 10V | 4.5V @ 250µA | 13.46nC @ 10V | 549pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,790
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET NCH 650V 12A TO263 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 278W (Tc) | N-Channel | 650V | 12A (Tc) | 720 mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 250µA | 48nC @ 10V | 2150pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,178
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 7A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 178W (Tc) | N-Channel | 650V | 7A (Tc) | 1.56 Ohm @ 3.5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 24nC @ 10V | 1180pF @ 25V | 10V | ±30V |