- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,346
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 250W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 10A (Tc) | 750 mOhm @ 5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1600pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,414
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK | STripFET™ F7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | H2Pak-2 | 250W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 120A (Tc) | 3.7 mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 120nC @ 10V | 8710pF @ 40V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,682
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | H2Pak-2 | 250W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 110A (Tc) | 3.9 mOhm @ 55A, 10V | 4.5V @ 250µA | 117nC @ 10V | 8115pF @ 50V | 10V | ±20V |