2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
3,690
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | 1.9W (Ta) | N-Channel | 200V | 3.2A (Ta) | 80 mOhm @ 4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 42nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
3,154
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | 1.9W (Ta) | N-Channel | 200V | 3.2A (Ta) | 80 mOhm @ 4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 42nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V |