- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,920
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | OptiMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | P-TO252-3 | 94W (Tc) | N-Channel | - | 25V | 50A (Tc) | 5.1 mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 50µA | 25nC @ 5V | 3110pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,095
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V TO-263 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 150W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 100A (Tc) | 5.1 mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 280nC @ 10V | 14500pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,499
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 107W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 100A (Tc) | 5.1 mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 280nC @ 10V | 14500pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |