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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
6 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTD40N03RT4
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RFQ
3,627
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.5W (Ta), 50W (Tc) N-Channel 25V 7.8A (Ta), 32A (Tc) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 5.78nC @ 4.5V 584pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
NTD40N03RT4G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.5W (Ta), 50W (Tc) N-Channel 25V 7.8A (Ta), 32A (Tc) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 5.78nC @ 4.5V 584pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
SI7852DP-T1-GE3
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$3.16
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RFQ
1,675
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.9W (Ta) N-Channel 80V 7.6A (Ta) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
SI7852DP-T1-E3
单位
$2.19
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1,920
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.9W (Ta) N-Channel 80V 7.6A (Ta) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
SI4896DY-T1-GE3
单位
$1.71
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2,385
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.56W (Ta) N-Channel 80V 6.7A (Ta) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
SI4896DY-T1-E3
单位
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RFQ
1,743
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.56W (Ta) N-Channel 80V 6.7A (Ta) 16.5 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
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