- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,726
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 8W (Tc) | N-Channel | 55V | 5.5A (Tc) | 150 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | - | 230pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,316
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | TrenchMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 8.3W (Tc) | N-Channel | 55V | 5.5A (Tc) | 150 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 5.6nC @ 10V | 175pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,810
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 11A DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 36W (Tc) | N-Channel | 55V | 11A (Tc) | 150 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 5.5nC @ 10V | 322pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,055
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | LFPAK33 | 36W (Tc) | N-Channel | 100V | 9.3A (Tc) | 150 mOhm @ 5A, 10V | 2.1V @ 1mA | 7.4nC @ 5V | 695pF @ 25V | 5V | ±10V | |||
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获得报价 |
2,402
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 8W (Tc) | N-Channel | 55V | 5.5A (Tc) | 150 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | - | 230pF @ 25V | 10V | ±20V |