- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,806
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4A TSST8 | - | Not For New Designs | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | 8-TSST | 1.25W (Ta) | P-Channel | - | 12V | 4A (Ta) | 30 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 1mA | 30nC @ 4.5V | 2350pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | ±10V | ||
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获得报价 |
1,927
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-SMD, Flat Leads | TUMT3 | 800mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 4A (Ta) | 30 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 1mA | 37nC @ 4.5V | 4000pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | -8V | ||
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获得报价 |
777
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-96 | TSMT3 | 1W (Ta) | P-Channel | - | 12V | 4A (Ta) | 30 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 1mA | 30nC @ 4.5V | 2350pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | ±10V | ||
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获得报价 |
3,580
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 20V SOT23 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) | 30 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 20nC @ 10V | 735pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |