- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,792
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | CoolMOS™ | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 208.3W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 16.1A (Tc) | 250 mOhm @ 4.4A, 10V | 3.5V @ 400µA | 44nC @ 10V | 950pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,966
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | CoolMOS™ E6 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 208W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 16.1A (Tc) | 250 mOhm @ 4.4A, 10V | 3.5V @ 400µA | 45nC @ 10V | 950pF @ 1000V | 10V | ±20V |