- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,512
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-WDFN (3.3x3.3) | 3.1W (Ta), 46W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 13A (Ta), 50A (Tc) | 9.3 mOhm @ 25A, 10V | 2V @ 250µA | 9.5nC @ 10V | 880pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,048
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 2.3W (Ta), 50W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 13A (Ta), 50A (Tc) | 7 mOhm @ 20A, 10V | 2.6V @ 250µA | 33nC @ 10V | 1800pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,935
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 8SON | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-VSONP (5x6) | 3.1W (Ta), 77W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 13A (Ta), 50A (Tc) | 9.8 mOhm @ 14A, 10V | 2.3V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1770pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V |