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漏极-源极电压(Vdss) :
Vgs(最大值) :
10 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
HUFA76609D3ST
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A DPAK UltraFET™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 49W (Tc) N-Channel - 100V 10A (Tc) 160 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 16nC @ 10V 425pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
BSP030,115
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 TrenchMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 8.3W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Tc) 30 mOhm @ 5A, 10V 2.8V @ 1mA 40nC @ 10V 770pF @ 24V 4.5V, 10V ±20V
STS10PF30L
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC STripFET™ II Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Tc) P-Channel - 30V 10A (Tc) 14 mOhm @ 5A, 10V 1V @ 250µA 39nC @ 4.5V 2300pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
STS10N3LH5
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2,917
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC STripFET™ V Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Tc) 21 mOhm @ 5A, 10V 1V @ 250µA 4.6nC @ 5V 475pF @ 25V 4.5V, 10V ±22V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 40V Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 13.6W (Tc) P-Channel - 40V 10A (Tc) 35 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 33nC @ 10V 1815pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
Default Photo
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$0.57
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2,602
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 13.6W (Tc) P-Channel - 30V 10A (Tc) 20 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 33nC @ 10V 1880pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
TSM180P03CS RLG
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623
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 2.5W (Tc) P-Channel - 30V 10A (Tc) 18 mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 23nC @ 4.5V 1730pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
STD19N3LLH6AG
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RFQ
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 10A DPAK STripFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 30W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Tc) 33 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 3.7nC @ 4.5V 321pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
HUF76609D3ST
单位
$1.00
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RFQ
2,740
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A DPAK UltraFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 49W (Tc) N-Channel - 100V 10A (Tc) 160 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 16nC @ 10V 425pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
FDMA8051L
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988
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 6-MLP PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-MicroFET (2x2) 2.4W (Ta) N-Channel - 40V 10A (Tc) 14 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V 1260pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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