- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
957
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 1.56W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 3.1A (Tc) | 190 mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 425pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
998
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 15.6W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 7A (Tc) | 180 mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 425pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,153
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK | QFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 5.4A (Tc) | 451 mOhm @ 2.7A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 295pF @ 25V | 10V | ±25V |