- 零件状态 :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
2,089
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MN | DIRECTFET™ MN | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 86A (Tc) | 7 mOhm @ 17A, 10V | 4.9V @ 150µA | 50nC @ 10V | 2120pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
3,195
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MN | DIRECTFET™ MN | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 86A (Tc) | 7 mOhm @ 17A, 10V | 4.9V @ 150µA | 50nC @ 10V | 2120pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
2,125
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MN | DIRECTFET™ MN | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 86A (Tc) | 7 mOhm @ 17A, 10V | 4.9V @ 150µA | 50nC @ 10V | 2120pF @ 25V | 10V | ±20V |