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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
Vgs(最大值) :
3 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SUD50P04-13L-E3
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RFQ
3,500
有现货
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 60A TO252 TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 3W (Ta), 93.7W (Tc) P-Channel 40V 60A (Tc) 13 mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 95nC @ 10V 3120pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SUD50P04-13L-GE3
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RFQ
608
有现货
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 60A DPAK TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 3W (Ta), 93.7W (Tc) P-Channel 40V 60A (Tc) 13 mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 95nC @ 10V 3120pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
BUK9226-75A,118
单位
$0.93
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RFQ
2,881
有现货
Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 75V 45A DPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 114W (Tc) N-Channel 75V 45A (Tc) 24.6 mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - 3120pF @ 25V 4.5V, 10V ±10V
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