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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
MTD6N15T4
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RFQ
1,801
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 6A DPAK - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.25W (Ta), 20W (Tc) N-Channel - 150V 6A (Tc) 300 mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 30nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
MTD6N15T4G
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RFQ
2,505
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 6A DPAK - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.25W (Ta), 20W (Tc) N-Channel - 150V 6A (Tc) 300 mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 30nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
AUIRFR5305TRL
单位
$1.85
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RFQ
1,667
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 110W (Tc) P-Channel - 55V 31A (Tc) 65 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
NTD24N06T4G
单位
$0.92
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RFQ
1,143
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 24A DPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) N-Channel - 60V 24A (Ta) 42 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 48nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
NVD5C464NT4G
单位
$0.95
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RFQ
1,732
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ON Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 40V 59A DPAK Automotive, AEC-Q101 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 3W (Ta), 40W (Tc) N-Channel - 40V 16A (Ta), 59A (Tc) 5.8 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
IRFR5305TRLPBF
单位
$0.93
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RFQ
2,096
有现货
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 110W (Tc) P-Channel - 55V 31A (Tc) 65 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
IRFR5305TRPBF
单位
$0.89
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RFQ
2,303
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 110W (Tc) P-Channel - 55V 31A (Tc) 65 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 1200pF @ 25V 10V ±20V
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