- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,115
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-313 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 100A (Tc) | 2 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 95µA | 118nC @ 10V | 9430pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,741
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-313 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 90A (Tc) | 2.4 mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 95µA | 118nC @ 10V | 9430pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,520
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 160W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 21A (Ta), 160A (Tc) | 3.9 mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 118nC @ 10V | 5160pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |