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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
ZXMP6A18KTC
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$1.82
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RFQ
3,500
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 2.15W (Ta) P-Channel - 60V 6.8A (Ta) 55 mOhm @ 3.5A, 10V 1V @ 250µA 44nC @ 10V 1580pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IPD65R250C6XTMA1
单位
$2.75
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RFQ
3,792
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 CoolMOS™ Last Time Buy Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 208.3W (Tc) N-Channel - 650V 16.1A (Tc) 250 mOhm @ 4.4A, 10V 3.5V @ 400µA 44nC @ 10V 950pF @ 100V 10V ±20V
IRFR3910TRLPBF
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$0.98
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RFQ
1,685
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 16A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 79W (Tc) N-Channel - 100V 16A (Tc) 115 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 44nC @ 10V 640pF @ 25V 10V ±20V
STD64N4F6AG
单位
$1.16
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RFQ
2,349
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 54A Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 60W (Tc) N-Channel - 40V 54A (Tc) 8.2 mOhm @ 27A, 10V 4.5V @ 250µA 44nC @ 10V 2415pF @ 25V 10V ±20V
DMTH3004LK3-13
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$1.14
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RFQ
1,389
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 21A TO252 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 1.9W (Ta) N-Channel - 30V 21A (Ta), 75A (Tc) 4 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 44nC @ 10V 2370pF @ 15V 4.5V, 10V +20V, -16V
AOD482
单位
$0.93
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RFQ
1,252
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 32A TO252 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.5W (Ta), 100W (Tc) N-Channel - 100V 5A (Ta), 32A (Tc) 37 mOhm @ 10A, 10V 2.7V @ 250µA 44nC @ 10V 2000pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
IRFR2905ZTRPBF
单位
$1.18
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RFQ
639
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 110W (Tc) N-Channel - 55V 42A (Tc) 14.5 mOhm @ 36A, 10V 4V @ 250µA 44nC @ 10V 1380pF @ 25V 10V ±20V
IRFR3910TRPBF
单位
$0.98
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RFQ
1,402
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 16A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 79W (Tc) N-Channel - 100V 16A (Tc) 115 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 44nC @ 10V 640pF @ 25V 10V ±20V
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