晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IPD110N12N3GBUMA1		获得报价	PDF RFQ	1,292 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3	OptiMOS™	Obsolete	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	136W (Tc)	N-Channel	-	120V	75A (Tc)	11 mOhm @ 75A, 10V	4V @ 83µA	65nC @ 10V	4310pF @ 60V	10V	±20V
	SPD35N10		获得报价	PDF RFQ	3,935 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 35A DPAK	SIPMOS®	Obsolete	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	150W (Tc)	N-Channel	-	100V	35A (Tc)	44 mOhm @ 26.4A, 10V	-	65nC @ 10V	1570pF @ 25V	10V	±20V
	IPD12CN10NGATMA1	单位 $1.94	获得报价	PDF RFQ	2,042 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3	OptiMOS™	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	125W (Tc)	N-Channel	-	100V	67A (Tc)	12.4 mOhm @ 67A, 10V	4V @ 83µA	65nC @ 10V	4320pF @ 50V	10V	±20V
	PSMN130-200D,118	单位 $1.68	获得报价	PDF RFQ	2,783 有现货	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 20A DPAK	TrenchMOS™	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DPAK	150W (Tc)	N-Channel	-	200V	20A (Tc)	130 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	65nC @ 10V	2470pF @ 25V	10V	±20V
	STD120N4F6	单位 $3.14	获得报价	PDF RFQ	3,056 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 40V 80A DPAK	DeepGATE™, STripFET™ VI	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DPAK	110W (Tc)	N-Channel	-	40V	80A (Tc)	4 mOhm @ 40A, 10V	4V @ 250µA	65nC @ 10V	3850pF @ 25V	10V	±20V
	IPD70N10S312ATMA1	单位 $1.78	获得报价	PDF RFQ	2,124 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3	OptiMOS™	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	125W (Tc)	N-Channel	-	100V	70A (Tc)	11.1 mOhm @ 70A, 10V	4V @ 83µA	65nC @ 10V	4355pF @ 25V	10V	±20V
	SQD40030E_GE3	单位 $1.74	获得报价	PDF RFQ	2,824 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252AA	-	N-Channel	-	40V	-	-	-	65nC @ 10V	-	10V	-
	IRFR1205TRPBF	单位 $1.33	获得报价	PDF RFQ	1,963 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 44A DPAK	HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-Pak	107W (Tc)	N-Channel	-	55V	44A (Tc)	27 mOhm @ 26A, 10V	4V @ 250µA	65nC @ 10V	1300pF @ 25V	10V	±20V
	IPD110N12N3GATMA1	单位 $1.91	获得报价	PDF RFQ	2,062 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3	OptiMOS™	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	136W (Tc)	N-Channel	-	120V	75A (Tc)	11 mOhm @ 75A, 10V	3V @ 83µA (Typ)	65nC @ 10V	4310pF @ 60V	10V	±20V
	FDD5353	单位 $1.75	获得报价	PDF RFQ	3,002 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK	PowerTrench®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-PAK (TO-252AA)	3.1W (Ta), 69W (Tc)	N-Channel	-	60V	11.5A (Ta), 50A (Tc)	12.3 mOhm @ 10.7A, 10V	3V @ 250µA	65nC @ 10V	3215pF @ 30V	4.5V, 10V	±20V

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