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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SUD50N10-18P-GE3
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RFQ
3,489
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 3W (Ta), 136.4W (Tc) N-Channel - 100V 8.2A (Ta), 50A (Tc) 18.5 mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 75nC @ 10V 2600pF @ 50V 10V ±20V
AOD2606
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RFQ
991
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 46A TO252 - Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.5W (Ta), 150W (Tc) N-Channel - 60V 14A (Ta), 46A (Tc) 6.8 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 75nC @ 10V 4050pF @ 30V 10V ±20V
STD65NF06
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RFQ
2,626
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 60A DPAK STripFET™ II Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 110W (Tc) N-Channel - 60V 60A (Tc) 14 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 75nC @ 10V 1700pF @ 25V 10V ±20V
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单位
$1.30
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RFQ
684
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ON Semiconductor PT8P 40V LL DPAK PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-PAK (TO-252) 150W (Tj) P-Channel - 40V 90A (Tc) 7.5 mOhm @ 70A, 10V 3V @ 250µA 75nC @ 10V 3350pF @ 20V 4.5V, 10V ±16V
IPD90N03S4L03ATMA1
单位
$1.22
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RFQ
3,379
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 94W (Tc) N-Channel - 30V 90A (Tc) 3.3 mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 45µA 75nC @ 10V 5100pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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