- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
977
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TP-FA | 1W (Ta), 15W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 12A (Ta) | 62 mOhm @ 6A, 10V | - | 26nC @ 10V | 1150pF @ 20V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,838
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 24A | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 40W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 24A (Tc) | 25 mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | 26nC @ 10V | 1320pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,962
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK | U-MOSIX-H | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 66W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 46A (Tc) | 6.7 mOhm @ 23A, 10V | 2.5V @ 300µA | 26nC @ 10V | 1990pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V |