- 供应商设备包 :
- FET型 :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,551
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 136W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 90A (Tc) | 9.4 mOhm @ 17A, 10V | 2.5V @ 250µA | 155nC @ 10V | 6675pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,835
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | OptiMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 136W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 90A (Tc) | 3.6 mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 90µA | 80nC @ 10V | 5200pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,468
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-313 | 136W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 90A (Tc) | 6.6 mOhm @ 90A, 10V | 2.1V @ 90µA | 98nC @ 10V | 6250pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,868
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 136W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 90A (Tc) | 2.2 mOhm @ 90A, 10V | 2.2V @ 90µA | 140nC @ 10V | 9750pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |