- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
723
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 144W (Tc) | N-Channel | 150V | 33A (Tc) | 42 mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 100µA | 26nC @ 10V | 1750pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,714
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 33A DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 80W (Tc) | N-Channel | 75V | 33A (Tc) | 29 mOhm @ 12A, 10V | 2.8V @ 1mA | 34nC @ 10V | 2000pF @ 25V | 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
3,659
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 57W (Tc) | N-Channel | 30V | 33A (Tc) | 31 mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | 750pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
844
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 114W (Tc) | N-Channel | 100V | 33A (Tc) | 38.6 mOhm @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | - | 3072pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±10V |