- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,807
有现货
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Rohm Semiconductor | NCH 250V 6A POWER MOSFET | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 52W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 6A (Tc) | 530 mOhm @ 3A, 10V | 5V @ 1mA | 15nC @ 10V | 840pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,722
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6A CPT | - | Not For New Designs | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | CPT3 | 40W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 6A (Tc) | 1.2 Ohm @ 3A, 10V | 4.5V @ 1mA | 15nC @ 10V | 460pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,035
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 | CoolMOS™ P7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 45W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 6A (Tc) | 900 mOhm @ 2.2A, 10V | 3.5V @ 110µA | 15nC @ 10V | 350pF @ 500V | 10V | ±20V |