- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,971
有现货
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Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 4A 600V DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 38W (Tc) | N-Channel | 600V | 4A (Tc) | 950 mOhm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 11.59nC @ 10V | 328pF @ 100V | 10V | 30V | |||
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获得报价 |
3,254
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 4A DPAK | MESH OVERLAY™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 50W (Tc) | N-Channel | 250V | 4A (Tc) | 1.1 Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | 355pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
919
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A DPAK | MDmesh™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 60W (Tc) | N-Channel | 650V | 4A (Tc) | 1.35 Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 9.8nC @ 10V | 226pF @ 100V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
2,306
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 36.8W (Tc) | N-Channel | 600V | 4A (Tc) | 900 mOhm @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 315pF @ 100V | 10V | ±30V |