- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,982
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | OptiMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 115W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 90A (Tc) | 5.3 mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 58µA | 82nC @ 10V | 6600pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,401
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 98A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 115W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 98A (Tc) | 5.7 mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 82nC @ 10V | 6000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,950
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 100A DPAK | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252) | 227W (Tj) | N-Channel | - | 60V | 100A (Tc) | 3.2 mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 82nC @ 10V | 4950pF @ 30V | 10V | ±20V |