- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,912
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 | OptiMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 36W (Tc) | N-Channel | 60V | 28A (Tc) | 25 mOhm @ 28A, 10V | 4V @ 11µA | 15nC @ 10V | 1200pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,259
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-11 | 36W (Tc) | N-Channel | 60V | 30A (Tc) | 23 mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 10µA | 21nC @ 10V | 1560pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,768
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 36W (Tc) | N-Channel | 60V | 30A (Tc) | 22 mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 11µA | 10nC @ 4.5V | 1600pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,095
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 36W (Tc) | N-Channel | 60V | 20A (Tc) | 39 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 15nC @ 10V | 675pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |