- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
924
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 71W (Tc) | N-Channel | 60V | 43A (Tc) | 18 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 23nC @ 10V | 1261pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,951
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 71W (Tc) | N-Channel | 60V | 50A (Tc) | 8.8 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 34µA | 48nC @ 10V | 3900pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
898
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 71W (Tc) | N-Channel | 60V | 43A (Tc) | 15.8 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 50µA | 30nC @ 10V | 1150pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,684
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 46A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 71W (Tc) | N-Channel | 60V | 46A (Tc) | 16 mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 29nC @ 10V | 1400pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |