- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
693
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP., | STripFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 134W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 80A (Tc) | 3.8 mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 55nC @ 10V | 3100pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,757
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK | STripFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 134W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 80A (Tc) | 5 mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 42nC @ 10V | 2600pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,274
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | STripFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 70W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 35A (Tc) | 28 mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 31nC @ 5V | 1600pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,793
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK | STripFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 60W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 15A (Tc) | 14 mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | 1065pF @ 30V | 10V | ±20V |