- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,989
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 140W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 161A (Tc) | 3.3 mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | 4380pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,834
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 140A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 140W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 140A (Tc) | 4.5 mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | 4010pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,014
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 1.6W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 12.4A (Ta) | 12 mOhm @ 11A, 10V | 2.3V @ 250µA | 25.1nC @ 10V | 1415pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,987
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 140W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 161A (Tc) | 3.3 mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | 4380pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |