- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,374
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 18A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 18A (Ta), 45A (Tc) | 4.4 mOhm @ 20A, 4.5V | 1.6V @ 250µA | 43nC @ 10V | 4630pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,234
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 63W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 100A (Tc) | 4 mOhm @ 21A, 4.5V | 1.1V @ 50µA | 72nC @ 4.5V | 3770pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,052
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 3.3W (Ta), 33W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 21A (Ta) | 32 mOhm @ 8A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | 710pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±8V |