- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,092
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 200V 6A TO252 | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 2.5W (Ta), 42.5W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 1.5A (Ta), 6A (Tc) | 400 mOhm @ 3A, 10V | 3.7V @ 250µA | 115nC @ 10V | 328pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,971
有现货
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Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 4A 600V DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 38W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4A (Tc) | 950 mOhm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 11.59nC @ 10V | 328pF @ 100V | 10V | 30V | |||
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获得报价 |
1,265
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3 | CoolMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 68W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 700V | 7.4A (Tc) | 950 mOhm @ 1.5A, 10V | 3.5V @ 150µA | 15.3nC @ 10V | 328pF @ 100V | 10V | ±20V |