- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,736
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 25A DPAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 100W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 25A (Tc) | 35 mOhm @ 12.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 52nC @ 5V | 1710pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
2,576
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 25A DPAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 100W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 25A (Tc) | 35 mOhm @ 12.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 52nC @ 5V | 1710pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
3,149
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 38A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 110W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 38A (Tc) | 29 mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 56nC @ 10V | 1710pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,297
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK | UltraFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 135W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 6.5A (Ta), 44A (Tc) | 28 mOhm @ 44A, 10V | 4V @ 250µA | 36nC @ 10V | 1710pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V |