- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,684
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 22A DPAK | TrenchMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 60W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 22A (Tc) | 46 mOhm @ 10A, 10V | 2.8V @ 1mA | 21.4nC @ 10V | 1280pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
621
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 150W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 20A (Tc) | 52 mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 43nC @ 10V | 1280pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |