- 系列 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
3,893
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK | CoolMOS™ | Not For New Designs | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-1 | 83W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 7.6A (Tc) | 600 mOhm @ 4.6A, 10V | 3.9V @ 350µA | 32nC @ 10V | 750pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
3,788
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK | CoolMOS™ | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 83W (Tc) | N-Channel | - | 560V | 7.6A (Tc) | 600 mOhm @ 4.6A, 10V | 3.9V @ 350µA | 32nC @ 10V | 750pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
2,752
有现货
|
Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 40W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 50A (Tc) | 9 mOhm @ 16A, 10V | 2.5V @ 250µA | 45nC @ 4.5V | 750pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
3,659
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 57W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 33A (Tc) | 31 mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | 750pF @ 25V | 10V | ±20V |