- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,734
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 17A (Tc) | 165 mOhm @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 29.5nC @ 10V | 1000pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,791
有现货
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | - | N-Channel | Depletion Mode | 250V | 1.1A (Tj) | 3.5 Ohm @ 1A, 0V | - | 7.04nC @ 1.5V | 1000pF @ 25V | 0V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,133
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 71W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 19A (Tc) | 74 mOhm @ 19A, 10V | 2.2V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1000pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
966
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 90W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 17A (Tc) | 165 mOhm @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 29.5nC @ 10V | 1000pF @ 25V | 10V | ±20V |