- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,811
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK | QFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 5.8A (Tc) | 350 mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 250µA | 7.5nC @ 10V | 250pF @ 25V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
3,226
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK | QFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 10A (Tc) | 140 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 7.5nC @ 10V | 310pF @ 25V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
1,037
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 | CoolMOS™ P7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 22W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 2.5A (Tc) | 2.4 Ohm @ 800mA, 10V | 3.5V @ 40µA | 7.5nC @ 10V | 150pF @ 500V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,489
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK | SuperMESH5™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 85W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 4.5A (Tc) | 1.6 Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 100µA | 7.5nC @ 10V | 255pF @ 100V | 10V | 30V |