- 零件状态 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,697
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V DPAK | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 57W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 2.2A (Tc) | 4.8 Ohm @ 1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 16nC @ 10V | 325pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,534
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 2.2A (Tc) | 2 Ohm @ 1.3A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 140pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,508
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK | SuperMESH3™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 45W (Tc) | N-Channel | - | 620V | 2.2A (Tc) | 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 15nC @ 10V | 340pF @ 50V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,360
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK | Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 90W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 2.2A (Tc) | 6.8 Ohm @ 1.1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 18nC @ 10V | 601pF @ 25V | 10V | ±30V |