- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,743
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | CoolMOS™ CE | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 98W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 9.9A (Tc) | 380 mOhm @ 3.2A, 13V | 3.5V @ 260µA | 24.8nC @ 10V | 584pF @ 100V | 13V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,838
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET NCH 500V 14.1A TO252 | CoolMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 98W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 500V | 14.1A (Tc) | 380 mOhm @ 3.2A, 13V | 3.5V @ 260µA | 24.8nC @ 10V | 584pF @ 100V | 13V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,927
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 56A DPAK | HEXFET®, StrongIRFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 98W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 56A (Tc) | 3.9 mOhm @ 56A, 10V | 3.9V @ 100µA | 130nC @ 10V | 3150pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V |