- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,260
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 157W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 75A (Tc) | 5 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 60nC @ 10V | 3820pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,298
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V DPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 157W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 75A (Tc) | 4.5 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 62nC @ 10V | 3760pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,492
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK | U-MOSVIII-H | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3 | 157W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 90A (Ta) | 3.3 mOhm @ 45A, 10V | 2.5V @ 500µA | 81nC @ 10V | 5400pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
661
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 55A DPAK | U-MOSVIII-H | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK+ | 157W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 55A (Ta) | 6.5 mOhm @ 27.5A, 10V | 4V @ 500µA | 49nC @ 10V | 3280pF @ 10V | 10V | ±20V |