- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
686
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 25A DPAK | PowerTrench® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 55W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 5.2A (Ta), 25A (Tc) | 36 mOhm @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 11nC @ 5V | 880pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,333
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 55W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 12.6A (Ta), 55A (Tc) | 11.5 mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 33nC @ 10V | 1260pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,984
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 55W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 13A (Ta), 58A (Tc) | 9 mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 31nC @ 10V | 1260pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,820
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 55W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 58A (Tc) | 8.9 mOhm @ 25A, 10V | 2.35V @ 25µA | 16nC @ 4.5V | 1350pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |