- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,386
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 39W (Tc) | N-Channel | - | 400V | 1.7A (Tc) | 5.5 Ohm @ 220mA, 10V | 2V @ 250µA | 5.5nC @ 10V | 121pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,455
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 39W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 1A (Tc) | 10 Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 6.1nC @ 10V | 138pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
690
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 39W (Tc) | N-Channel | - | 25V | 35A (Tc) | 14 mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 18nC @ 10V | 845pF @ 13V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,091
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3 | SuperFET® II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 39W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 2.6A (Tc) | 2.25 Ohm @ 1.3A, 10V | 4.5V @ 260µA | 14nC @ 10V | 585pF @ 100V | 10V | ±20V |