- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,226
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK | QFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 10A (Tc) | 140 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 7.5nC @ 10V | 310pF @ 25V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
2,032
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK | QFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 11A (Tc) | 115 mOhm @ 5.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 6.4nC @ 5V | 350pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,552
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | QFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 1A (Tc) | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 6.2nC @ 10V | 170pF @ 25V | 10V | ±30V |