- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
767
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252 | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 56W (Tc) | N-Channel | - | 700V | 3.5A (Tc) | 3.3 Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | 595pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,362
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-11 | 56W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 50A (Tc) | 5.5 mOhm @ 50A, 10V | 2.2V @ 20µA | 31nC @ 10V | 2330pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
2,126
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 56W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 50A (Tc) | 6 mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 23nC @ 10V | 2400pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,624
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3 | UniFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 56W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 6.2A (Tc) | 550 mOhm @ 3.1A, 10V | 2V @ 250µA | 16nC @ 10V | 635pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |