- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,951
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A DPAK | MDmesh™ II | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 90W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 9A (Tc) | 480 mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 850pF @ 50V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
617
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A DPAK | MDmesh™ V | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 90W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 12A (Tc) | 299 mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 250µA | 45nC @ 10V | 1250pF @ 100V | 10V | ±25V |