- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
629
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 90W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 75A (Tc) | 9.5 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 4.5V | 1996pF @ 10V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,126
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | STripFET™ II | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | - | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 90W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 18A (Tc) | 125 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | 940pF @ 25V | 10V | ±20V |